| 高增益砷化镓光导开关中的光致电离效应 |
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| 引用本文： | 刘鸿,阮成礼.高增益砷化镓光导开关中的光致电离效应[J].光学学报,2009,29(2). |
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| 作者姓名： | 刘鸿 阮成礼 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学物理电子学院,四川,成都,610054;成都大学电子信息工程学院,四川,成都,610106
2. 电子科技大学物理电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 研究了光致电离在高增益本征砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)中的效应.在高增益本征砷化镓光导开关中,各级流注发展由三个过程组成:光致电离、畴电子崩(DEA)和载流子碰撞电离雪崩生长.光致电离在本征砷化镓绝缘区中产生局部高载流子密度区域,提供了允许畴存在的局域环境.光致电离包括激光触发和流注的复合辐射两种情形.分析了光导开关的最优触发激光条件.通过计算机数值模拟,计算了在距离流注表面y≤30 μm的范围内,平均光生载流子密度n(t=0)乘以该局域的特征尺度满足偶极畴成核条件:n(t=0)·y>1012 cm-2;探讨了流注的复合辐射在流注周围产生非平衡载流子的规律;发现了触发区域沿电场方向的长度阈值LEC,触发区域的特征长度LE必须满足条件:LE≥LEC.
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| 关 键 词： | 光电子学 光致电离效应 数值模拟 饱和值现象 空间阈值 最优激光触发 |
Photo-Ionization Effects in High Gain Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switches |
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| Liu Hong,Ruan Cheng-li.Photo-Ionization Effects in High Gain Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switches[J].Acta Optica Sinica,2009,29(2). |
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| Authors: | Liu Hong Ruan Cheng-li |
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