| 掺杂Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 陈茜,谢泉,杨创华,赵凤娟.掺杂Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].光学学报,2009,29(1). |
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| 作者姓名： | 陈茜 谢泉 杨创华 赵凤娟 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院,贵州,贵阳,550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，贵州省优秀科技教育人才省长专项基金，省委组织部高层人才科研特助项目，贵阳市科学技术局大学生创业科技项目，贵州大学研究生创新基金 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994 eV,其价带主要由Si的3p及Mg的3s、3p态电子构成,导带主要由Mg的3s、3p及Si的3p态电子构成,静态介电常数为18.89,折射率为4.3460.掺Ag后Mg2Si为p型半导体,价带主要由Si的3p,Mg的3s、3p及Ag的3p、4d、5s态电子构成,静态介电常数为11.01,折射率为3.3175.掺Al后Mg2Si为n型半导体,导带主要由Mg的3s、3p,Si的3p及Al的3p态电子构成,Al的3s态电子贡献相对较小,静态介电常数为87.03,折射率为9.3289.通过掺杂有效调制了Mg2Si的电子结构,计算结果为Mg2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 光学材料 光学性质 电子结构 掺杂 第一性原理 |
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of Mg2Si with Doping |
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| Chen Qian,Xie Quan,Yang Chuanghua,Zhao Fengjuan.First-Principles Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of Mg2Si with Doping[J].Acta Optica Sinica,2009,29(1). |
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| Authors: | Chen Qian Xie Quan Yang Chuanghua Zhao Fengjuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg2Si |
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