| 光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率 |
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| 引用本文： | 周印华,汤英文,饶建平,江风益.光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率[J].光学学报,2009,29(1). |
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| 作者姓名： | 周印华 汤英文 饶建平 江风益 |
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| 作者单位： | 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌330047
2. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌330047;晶能光电,江西,有限公司,江西,南昌,330096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀.结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反.刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起.20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%.
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| 关 键 词： | 光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀 垂直结构GaN基LED Si衬底 |
Improvement for Extraction Efficiency of Vertical GaN-Based LED on Si Substrate by Photo-Enhanced Wet Etching |
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| Zhou Yinhua,Tang Yingwen,Rao Jianping,Jiang Fengyi.Improvement for Extraction Efficiency of Vertical GaN-Based LED on Si Substrate by Photo-Enhanced Wet Etching[J].Acta Optica Sinica,2009,29(1). |
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| Authors: | Zhou Yinhua Tang Yingwen Rao Jianping Jiang Fengyi |
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