首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

电荷耦合器件饱和效应对PIE成像质量的影响
引用本文:王宝升,高淑梅,王继成,朱健强,刘诚.电荷耦合器件饱和效应对PIE成像质量的影响[J].光学学报,2013(6):73-78.
作者姓名:王宝升  高淑梅  王继成  朱健强  刘诚
作者单位:江南大学理学院光信息科学与技术系;中国科学院上海光学精密机械研究所联合实验室
基金项目:江苏省自然科学基金(BK2012548)资助课题
摘    要:在研究电荷耦合器件(CCD)饱和效应对PIE成像质量影响的基础上,提出了一种改进的重建算法。该方法可以从发生部分饱和的数据重建出准确的再现像。和现有的方法相比,此方法可以在保证分辨率不受影响的条件下,大幅度缩短数据采集时间,因此可显著降低对实验装置和样品稳定性的要求,对PIE方法的推广应用有重要的实际意义。

关 键 词:成像系统  相干衍射成像  相位恢复  显微成像  PIE
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号