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大口径光学元件磁流变加工驻留时间求解算法
引用本文:李龙响,邓伟杰,张斌智,白杨,郑立功,张学军.大口径光学元件磁流变加工驻留时间求解算法[J].光学学报,2014(5):217-223.
作者姓名:李龙响  邓伟杰  张斌智  白杨  郑立功  张学军
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;中国科学院大学;
基金项目:国家自然科学基金(61036015)
摘    要:为了解决大口径光学元件磁流变高精度加工问题,基于矩阵运算模型,提出了SBB(Subspace Barzilai and Borwein)最小非负二乘与自适应Tikhonov正则化相结合的驻留时间快速求解方法。同时,在一次收敛中采用双去除函数优化螺旋线轨迹下光学元件的加工,保证中心区域与全口径面形精度一致。仿真表明该算法与常用Lawson-Hanson最小非负二乘法相比,计算精度一致且求解效率大幅提高。对Φ600mm以彗差为主的光学表面模拟加工,峰谷(PV)值和均方根(RMS)值从初始的2.712λ与0.461λ中心区域全局一致收敛到0.306λ和0.0199λ(λ=632.8nm)。因此,提出的算法能够在有效保证面形收敛精度的同时快速获得稳定可靠的驻留时间分布,为磁流变抛光应用于大口径光学元件提供有力支持。

关 键 词:光学制造  驻留时间  矩阵运算  全局收敛  磁流变抛光
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