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| 飞秒激光形成的半导体低维结构与发光 | |
| 引用本文： | 张荣涛,许丽,吴克跃.飞秒激光形成的半导体低维结构与发光[J].光学学报,2009,29(3). |
| 作者姓名： | 张荣涛 许丽 吴克跃 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵州,贵阳,550025 2. 山西大同大学物理系,山西,大同,037003 3. 皖西学院数理系,安徽,六安,237012 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，贵州省研究生创新基金 |
| 摘 要： | 采用飞秒激光辐照硅和硅锗样品,用扫描电子显微镜(SEM)观察样品同,发现样品上产生了某低维结构.用飞秒激光作用产生等离子体相干驻波对硅和硅锗表面的融蚀模型来解释低维结构的形成机制,发现硅的表面周期约为400 nm的光栅结构在波长719 nm处有较强的光致荧光(PL)峰.该光致荧光的发光强度较小,其机制可从激光的脉宽和重复率两个方面来分析.当激光辐照的能量明显超过硅的融蚀阈值时,光栅形状消失,另一种锥状结构开始形成.控制加工条件,可以获得用于衍射和微分束的纳米光栅. |
| 关 键 词： | 激光技术 飞秒激光 低维结构 等离子体波 光致荧光 |
Emission of Low-Dimensional Structures Formed by Femtosecond Laser Interaction with Semiconductor |
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| Zhang Rongtao,Xu Li,Wu Keyue.Emission of Low-Dimensional Structures Formed by Femtosecond Laser Interaction with Semiconductor[J].Acta Optica Sinica,2009,29(3). | |
| Authors: | Zhang Rongtao Xu Li Wu Keyue |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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