GaAs-Ga_xAl_(1-x)As双异质结激光器的分子束外延生长 |
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引用本文: | 钟景昌.GaAs-Ga_xAl_(1-x)As双异质结激光器的分子束外延生长[J].光学学报,1984(6). |
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作者姓名: | 钟景昌 |
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作者单位: | 长春光学精密机械学院 |
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摘 要: | 本文报道分子束外延生长GaAs-Ga_xAl_(1-x)As双异质结激光器的生长条件.其中包括低温生长的温度-时间循环,欧姆接触电极层的原位生长以及生长后的退火等程序.实验表明,生长过程中采用高纯度的源材料,氮化硼的泻流盒以及生长系统中的低温泵等对降低器件的阈电流密度,改善激光器的光电性能起到重要作用.
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