| VO2薄膜对TEACO2激光响应特性的实验研究 |
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| 引用本文： | 查子忠,王骐.VO2薄膜对TEACO2激光响应特性的实验研究[J].光学学报,1996,16(8):173-1176. |
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| 作者姓名： | 查子忠 王骐 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 |
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| 基金项目： | 哈尔滨工业大学可调谐（气体）激光技术国防科技重点实验室资助 |
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| 摘 要： | 报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究，结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２℃条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ＾２时，可使ＶＯ２薄膜发生相变，响应时间，５０ｎｓ，恢复时间≈２００μｓ。
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| 关 键 词： | 薄膜 相变 二氧化钒 红外探测材料 |
| 收稿时间： | 1996/3/11 |
Experemental Study of Response Properties of VO 2 Films to TEA CO 2 Laser |
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| Zha Zizong,Wang Qi,Li Xuechun,Wang Jun.Experemental Study of Response Properties of VO 2 Films to TEA CO 2 Laser[J].Acta Optica Sinica,1996,16(8):173-1176. |
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| Authors: | Zha Zizong Wang Qi Li Xuechun Wang Jun |
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| Abstract: | This paper reports the experemental study of phase transition properties of VO 2 films in irradiation of TEA CO 2 laser. The experemental results show that at biasing temperature 52 ℃, incident fluence of 150 mJ/cm 2 for TEA CO 2 laser phase transition can be occured from semiconductor state to metal state for our VO 2 films. Response time <50 ns, restoration time≈200 μs. |
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| Keywords: | VO 2 film phase transition |
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