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高Q值、超窄带宽反向耦合型相移光栅
引用本文:廖莎莎,黄琮,冯玉婷,张伍浩,赵帅,刘真伟.高Q值、超窄带宽反向耦合型相移光栅[J].光学学报,2023(1):9-16.
作者姓名:廖莎莎  黄琮  冯玉婷  张伍浩  赵帅  刘真伟
作者单位:1. 重庆邮电大学通信与信息工程学院;2. 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室
摘    要:相移光栅是光子集成电路的基本元件之一,被广泛应用于多种领域中。与传统的反射型相移光栅相比,反向耦合型相移光栅无需光环形器,易实现大规模集成。提出了一种高Q值、超窄带宽的反向耦合型相移光栅。利用光栅的Moire效应,通过将不同周期的波导光栅组合在一起,实现了Q值为12893、3 dB凹陷带宽为0.12 nm的反向耦合型相移光栅。该相移光栅具有尺寸小、Q值高和凹陷带宽窄等优势,能被广泛应用于生物传感、激光器和波长滤波等领域中。

关 键 词:光栅  相移光栅  光子集成电路  Moire效应  反向耦合型相移光栅  硅光子学
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