高Q值、超窄带宽反向耦合型相移光栅 |
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引用本文: | 廖莎莎,黄琮,冯玉婷,张伍浩,赵帅,刘真伟.高Q值、超窄带宽反向耦合型相移光栅[J].光学学报,2023(1):9-16. |
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作者姓名: | 廖莎莎 黄琮 冯玉婷 张伍浩 赵帅 刘真伟 |
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作者单位: | 1. 重庆邮电大学通信与信息工程学院;2. 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室 |
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摘 要: | 相移光栅是光子集成电路的基本元件之一,被广泛应用于多种领域中。与传统的反射型相移光栅相比,反向耦合型相移光栅无需光环形器,易实现大规模集成。提出了一种高Q值、超窄带宽的反向耦合型相移光栅。利用光栅的Moire效应,通过将不同周期的波导光栅组合在一起,实现了Q值为12893、3 dB凹陷带宽为0.12 nm的反向耦合型相移光栅。该相移光栅具有尺寸小、Q值高和凹陷带宽窄等优势,能被广泛应用于生物传感、激光器和波长滤波等领域中。
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关 键 词: | 光栅 相移光栅 光子集成电路 Moire效应 反向耦合型相移光栅 硅光子学 |
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