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基于AlN声表面波滤波传感器器件的有限元仿真
引用本文:张贤,石林.基于AlN声表面波滤波传感器器件的有限元仿真[J].应用声学,2015,23(4):81-81.
作者姓名:张贤  石林
作者单位:江苏经贸职业技术学院 信息技术学院 江苏 南京,常州大学 信息科学与工程学院 江苏 常州
基金项目:国际自然科学基金(1168456);江苏省自然科学基金(zx1254233)
摘    要:声表面波器件是一种利用压电材料的压电效应与逆压电效应工作电子器件, 文章首先详细描述了声表面波器件的设计与仿真过程,运用有限元分析的方法分别计算了利用声表面波的 SAW 器件与利用体波的 BAW 器件的性能与各项参数,对相关的器件进行了计算分析,分别用上述方法研究了基于 AlN 薄膜的声表面波器件和悬臂梁结构的体波器件,推导得出了器件的电学导纳与频率之间的关系, 通过分析器件的导纳-频率曲线,推导出器件内部声波的模式以及合适的工作频率,最终得出在 IDT 周期为 8 微米的情况下,SAW 器件的理想工作频率是 0.7-1.95GHz,BAW 器件的理想工作频率在 0.6-3.2GHz 的结果。

关 键 词:表面声学波  传感器  有限元分析  AlN  薄膜  压电材料
收稿时间:8/7/2014 12:00:00 AM

AlN surface acoustic wave filter sensor device simulation based on Finite element
Institution:School of Information and Technology Jiangsu Institute of Commerce,Jiangsu Nanjing,School of Information Science and Engineering Changzhou University,Jiangsu Changzhou
Abstract:the surface acoustic wave device is a use of piezoelectric effect and converse piezoelectric effect of electronic devices, this paper describes the design and Simulation of surface acoustic wave devices, using the method of finite element analysis were calculated using SAW devices, surface acoustic wave and the properties and parameters of BAW device body wave of, on the related devices are calculated, respectively, by the method of body wave device of AlN thin films and surface acoustic wave devices based on cantilever structure, derived the relationship between the electrical admittance and the frequency device, through frequency admittance analysis device curve, derived from the internal wave mode and device appropriate working frequency, in the IDT cycle is 8 micron case, ideal frequency of SAW device is 0.7-1.95GHz, BAW device is an ideal frequency in the 0.6-3.2GHz results.
Keywords:surface acoustic wave  sensor  finite element analysis  AlN thin film  piezoelectric material
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