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| 锌掺杂半导体材料的共振电离质谱分析 | |
| 引用本文： | 彭慰先,蒋占魁,郭川,Ledingham,K.W.D,仇伯仓.锌掺杂半导体材料的共振电离质谱分析[J].光谱学与光谱分析,1999,19(1). |
| 作者姓名： | 彭慰先 蒋占魁 郭川 Ledingham K.W.D 仇伯仓 |
| 作者单位： | 1. 吉林大学物理系,130023,长春 2. 中国科学院长春应用化学研究所,130022,长春 3. Department of Physics & Astronomy,University of Glasgow,Glasgow G12 8QQ,UK 4. Department of Electric and Electronic Engineering,University of Glasgow,Glasgow G 12 8QQ,UK |
| 摘 要： | 本文简要地描述了激光共振电离质谱的实验装置和测量方法,给出了用共振电离质谱方法对锌掺杂化合物半导体材料进行分析的光谱和质谱图,并估计了用这种方法进行痕量分析可能达到的检测限. |
| 关 键 词： | 激光共振电离质谱 半导体 锌 |
Trace Analysis of Zn-doped Compound Semiconductor Material by Resonant Ionization Mass Spectrometry |
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| Weixian PENG,Zhankui JIANG,Chuan GUO,Ledingham,K.W.D,B C QIU.Trace Analysis of Zn-doped Compound Semiconductor Material by Resonant Ionization Mass Spectrometry[J].Spectroscopy and Spectral Analysis,1999,19(1). | |
| Authors: | Weixian PENG Zhankui JIANG Chuan GUO Ledingham KWD B C QIU |
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