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YVO_4∶Eu纳米荧光材料的合成及其在手印显现中的应用
引用本文:王猛.YVO_4∶Eu纳米荧光材料的合成及其在手印显现中的应用[J].光谱学与光谱分析,2015(6).
作者姓名:王猛
作者单位:中国刑事警察学院痕迹检验技术系,痕迹检验鉴定技术公安部重点实验室,辽宁 沈阳 110035
基金项目:国家自然科学基金项目,辽宁省高等学校优秀人才支持计划项目,公安部应用创新计划项目,公安部科技强警基础工作专项项目,东穗科技创新基金项目
摘    要:以聚乙烯亚胺(PEI)为修饰剂,采用水热法合成了荧光强度较高、颗粒粒径较小的YVO4∶Eu纳米荧光材料,并讨论了合成该纳米荧光材料的反应机理。通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、荧光光谱(FS)对纳米荧光材料的粒径形貌、晶体结构、表面官能团、荧光性能进行表征,该纳米荧光材料的粒径尺度约为30nm、形貌为单分散的球形、晶体结构为四方YVO4晶型、其表面为PEI修饰,在254nm紫外光的激发下能够发射出较强的红色荧光。将合成的YVO4∶Eu纳米荧光材料应用于常见光滑客体表面汗潜手印的粉末法显现中,并考详细察了手印显现灵敏度、抗背景颜色干扰能力等因素的影响。实验结果显示,经过YVO4∶Eu纳米荧光材料显现的手印在254nm紫外灯照射下能够发射出明亮的红色荧光,手印纹线清晰连贯、细节特征明显、对比反差强烈、背景干扰较小。与传统的荧光粉末显现法相比,该显现方法具有较高的显现灵敏度和较低的背景干扰。

关 键 词:手印显现  纳米材料  稀土  潜在手印  荧光
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