| CaMgSi_2O_6∶Eu的真空紫外光谱特性 |
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| 引用本文： | 周丹,何大伟,侯涛.CaMgSi_2O_6∶Eu的真空紫外光谱特性[J].光谱学与光谱分析,2007(5). |
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| 作者姓名： | 周丹 何大伟 侯涛 |
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| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所 发光与光信息技术教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京100044，北京100044，北京100044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(10644002)，北京市自然科学基金项目(2052019)，北京市科学技术委员会项目(Y040600104711)资助 |
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| 摘 要： | 采用高温固相反应利用原料CaCO3,MgO,SiO2和Eu2O3合成了CaMgSi2O6∶Eu3 样品,并研究了其结构特性、光谱特性。CaMgSi2O6∶Eu3 属于单科晶系,基质掺入Eu离子后结构没有明显变化。CaMgSi2O6∶Eu3 在147nm真空紫外光激发下呈红色发射,发射主峰位于611nm,是Eu3 的5D0→7F2跃迁的典型发射。当Eu3 的相对摩尔浓度在0.02到0.10mol之间变化时,由相关数据可以发现有浓度猝灭现象发生。CaMgSi2O6∶Eu2 在172nm真空紫外光激发下呈蓝色发射,发射主峰位于452nm,是Eu2 的5d→4f跃迁的典型发射。添加不同浓度的H3BO3后可大大提高样品的发光强度。
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| 关 键 词： | CaMgSi_2O_6∶Eu 等离子显示屏 真空紫外 |
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