|
|||||
|
|
| N型4H-SiC低温拉曼光谱特性 | |
| 引用本文： | 苗瑞霞,赵萍,刘维红,汤晓燕.N型4H-SiC低温拉曼光谱特性[J].光谱学与光谱分析,2014,34(1):108-110. |
| 作者姓名： | 苗瑞霞 赵萍 刘维红 汤晓燕 |
| 作者单位： | 苗瑞霞:西安邮电大学电子工程学院, 陕西 西安710121 赵萍:西安邮电大学电子工程学院, 陕西 西安710121 刘维红:西安邮电大学电子工程学院, 陕西 西安710121 汤晓燕:西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 陕西 西安710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61006060, 51302215）和陕西省教育厅科研基金项目（11JK0916）资助 |
| 摘 要： | 利用拉曼散射技术对N型4H-SiC单晶材料进行了30～300K温度范围的光谱测量。实验结果表明,随着温度的升高,N型4H-SiC单晶材料的拉曼峰峰位向低波数方向移动,峰宽逐渐增宽。分析认为,晶格振动随着温度的升高而随之加剧,其振动恢复力会逐渐减小,使振动频率降低;原子相对运动会随温度的升高而加剧,使得原子之间及晶胞之间的相互作用减弱,致使声学模和光学模皆出现红移现象。随着温度的升高,峰宽逐渐增宽。这是由于随着温度的升高声子数逐渐增加,增加的声子进一步增加了散射概率,从而降低了声子的平均寿命,而声子的平均寿命与峰宽成反比,因此随着温度的升高峰宽逐渐增宽。声子模强度随温度升高呈现不同规律,E2(LA),E2(TA),E1(TA)和A1(LA)声子模随着温度升高强度单调增加,而E2(TO),E1(TO)和A1(LO)声子模强度出现了先增后减的明显变化,在138K强度出现极大值。分析认为造成原因是由于当温度高于138K时,高能量的声子分裂成多个具有更低能量的声子所致。 |
| 关 键 词： | H-SiC 拉曼光谱 声学模 光学模 |
| 收稿时间： | 2013/3/17 |
Low-Temperature-Dependent Characteristics of Raman Scattering in N-Type 4H-SiC |
|
| MIAO Rui-xia;ZHAO Ping;LIU Wei-hong;TANG Xiao-yan.Low-Temperature-Dependent Characteristics of Raman Scattering in N-Type 4H-SiC[J].Spectroscopy and Spectral Analysis,2014,34(1):108-110. | |
| Authors: | MIAO Rui-xia;ZHAO Ping;LIU Wei-hong;TANG Xiao-yan |
| Institution: | MIAO Rui-xia;ZHAO Ping;LIU Wei-hong;TANG Xiao-yan;School of Electronic Engineering,Xi’an University of Postsand Telecommunications;Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University; |
| Abstract: | |
| Keywords: | 4H-SiC Raman spectroscopy Acoustic phonon modes Optical phonon modes |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |