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| InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性 | |
| 引用本文： | 代爽,于彤军,李兴斌,袁刚成,路慧敏.InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性[J].光谱学与光谱分析,2014,34(2):327. |
| 作者姓名： | 代爽 于彤军 李兴斌 袁刚成 路慧敏 |
| 作者单位： | 代爽:北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871 于彤军:北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871 李兴斌:北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871 袁刚成:北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871 路慧敏:北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871 |
| 基金项目： | 国家重点基金研究项目(2011CB301900， 2013CB328705)， 国家高科技研究发展计划项目(2011AA03A103)和国家自然科学基金项目（61076012， 61076013， 61204054， 61275052）资助 |
| 摘 要： | 系统地研究了小注入电流(4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化过程分两个阶段:前期(100h)减小速度较快,而后逐渐变缓,呈现出与LEDs的发光光功率一致的变化规律,说明LEDs的等效极化电场在老化过程中减弱,这一变化和量子阱内缺陷的增加有明确的关系。通过电学特性测量发现同一结电压(Vj=1.8V)下的结电容Cj和由交流小信号I—V方法计算得到的注入电流1mA下的结电压Vj随老化时间增加而增大,明确了在同等小注入电流下量子阱内的载流子浓度随老化过程增加。分析表明在老化过程中InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小,带边辐射复合能量增大,能态密度增多,对应的发光过程的峰值波长变短(蓝移),半高宽变窄。 |
| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管 老化 电致发光谱 极化电场 |
| 收稿时间： | 2013/4/17 |
The Electroluminescence Spectra of InGaN/GaN Blue LEDs During Aging Time |
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| Abstract: | |
| Keywords: | InGaN/GaN blue LEDs Degradation Electroluminescence spectra Polarization field |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |