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| 纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文) | |
| 引用本文： | 张念波,田金秀,李卫,武莉莉,黎兵,张静全,冯良桓,徐明.纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)[J].光谱学与光谱分析,2014,34(2):331. |
| 作者姓名： | 张念波 田金秀 李卫 武莉莉 黎兵 张静全 冯良桓 徐明 |
| 作者单位： | 张念波:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 田金秀:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 李卫:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 武莉莉:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 黎兵:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 张静全:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 冯良桓:四川大学材料科学与工程学院， 四川 成都610064 徐明:西南民族大学信息材料四川省重点实验室, 四川 成都610041四川师范大学固体物理研究所， 四川 成都610068 |
| 基金项目： | The National 863 Program (2011AA050515) fund support， Sichuan Normal University for the program support |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。 |
| 关 键 词： | 纳米晶硅 掺杂 表面改性 模拟 |
| 收稿时间： | 2013/5/20 |
Silicon Nanocrystals Doping and Surface Modification |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Silicon nanocrystals Doping Surface modification Simulation |
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