| Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究 |
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| 引用本文： | 吴晓轩,郑文琛.Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究[J].光谱学与光谱分析,2007,27(1):8-11. |
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| 作者姓名： | 吴晓轩 郑文琛 |
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| 作者单位： | 1. 中国民航飞行学院物理教研室,四川,广汉,618307;四川大学材料科学系,四川,成都,610064;中国科学院国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016
2. 四川大学材料科学系,四川,成都,610064;中国科学院国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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民航总局民航飞行技术与飞行安全科研基地项目 |
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| 摘 要： | 文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式.在这个公式中,除了与d-d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑.将这个公式应用于Ba2MgGe2O7:Cr4 晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动△g(=g-2.002 3)的贡献△gCT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%.因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献.
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| 关 键 词： | 电子顺磁共振 g因子 荷移机制 晶体场和配位场理论 Ba2MgGe2O7晶体 |
| 文章编号： | 1000-0593（2007）01-0008-04 |
| 收稿时间： | 2005-11-08 |
| 修稿时间： | 2006-02-16 |
Study on the Contribution of the Charge Transfer Excited States in Ba2MgGe2O7:Cr4+ Crystal to g Factor |
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| WU Xiao-xuan,ZHENG Wen-chen.Study on the Contribution of the Charge Transfer Excited States in Ba2MgGe2O7:Cr4+ Crystal to g Factor[J].Spectroscopy and Spectral Analysis,2007,27(1):8-11. |
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| Authors: | WU Xiao-xuan ZHENG Wen-chen |
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| Institution: | 1. Department of Physics, Civil Aviation Flying Institute of China, Guanghan 618307, China; 2. Department of Material Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China ;3. International Centre for Materials Physics, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Electron parmnagnetic resonance g factor Charge transfer mechanism Crystal-and ligand-field theory Ba2 MgGe2 O7 crystal |
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