| 硅二极管对高功率微波的非线性响应计算 |
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| 引用本文： | 余稳,蔡新华,周传明,方中华.硅二极管对高功率微波的非线性响应计算[J].强激光与粒子束,2000,12(3):324-326. |
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| 作者姓名： | 余稳 蔡新华 周传明 方中华 |
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| 作者单位： | 1.常德师范学院电子学研究所，湖南415002； 2. 中国工程物理研究院应电子学所，绵阳9191信箱，621900； 3. 中国科学院长春光机与物理研究所，长春 130022 |
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| 基金项目： | 国家863强辐射重点实验室(99-02)和湖南省高校科研青年项目(99-B17)-资助课题 |
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| 摘 要： | 考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素，利用自得研制的半导体器件模拟程序mPND1D, 对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算，结果显示出硅二极管对徽波信号响应的非线性。
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| 关 键 词： | 非线性响应 高功率微波 二极管 时域有限差分 |
| 文章编号： | 1001-4322(2000)03-0324-03 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
| 修稿时间： | 1999年6月2日 |
CALCULATION OF NONLINEAR RESPONSE OF THE SILICONDIODE TO THE HIGH-POWER MICROWAVE |
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| Abstract: | By making use of our own program mPND1D, which is used to model the behavior of semiconductor device, we calculated the nonlinear response of the silicon diode stimulated by a high power microwave source. In the code, we considered factors in the set of coupled nonlinear and stiff partial differential equations as many as we can. This set of equations for the electron and hole in a semiconductor of such eight equations as carrier continuity equations. Poison equation heat flow equation and so on. |
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| Keywords: | nonlinear response HPM diode FTDT |
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