| 响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英文）北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 高杨,李君儒.响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英文）北大核心CSCD[J].强激光与粒子束,2016(6):46-50. |
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| 作者姓名： | 高杨 李君儒 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院电子工程研究所;中航(重庆)微电子有限公司;重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61574131);中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(2014ZA001);西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金项目(14ZXTK01);重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金项目(2013MS04) |
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| 摘 要： | 利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48mol/L和5~12.5h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。
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| 关 键 词： | KOH各向异性 响应面分析方法 刻蚀速率 传感器 |
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