| 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析 |
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| 引用本文： | 张林,张义门,张玉明,张书霞,汤晓燕,王悦湖.4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J].强激光与粒子束,2008,20(5):854-858. |
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| 作者姓名： | 张林 张义门 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学 微电子学院 教育部宽禁带半导体材料重点实验室， 西安 710071;2. 西安武警工程学院 通信系， 西安 710086 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国防科技科研项目 |
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| 摘 要： | 在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为g射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型，模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管，有源区掺杂数密度为2.2×1015 cm-3时，0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9 C/Gy，100 V偏压下为24.5×10-9 C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
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| 关 键 词： | 4H-SiC 肖特基二极管 γ射线 探测器 数值模拟 灵敏度 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
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