| 基于MOSFET的固体开关技术实验研究 |
| |
| 引用本文： | 赵军平,章林文,李劲.基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J].强激光与粒子束,2004,16(11):1481-1484. |
| |
| 作者姓名： | 赵军平 章林文 李劲 |
| |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院 流体物理研究所106室，四川 绵阳 621900 |
| |
| 基金项目： | 国防科技基础研究基金资助课题 |
| |
| 摘 要： | 采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对，研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了130A，2MHz的输出。两器件串联开关获得了16kV,2MHz重复频率脉冲串输出。
|
| 关 键 词： | FDTD MHz重复频率 MOSFET 固体开关 |
| 文章编号： | 1001-4322(2004)11-1481-04 |
| 收稿时间： | 2004/6/7 |
| 修稿时间： | 2004年6月7日 |
Experiment on MOSFET solid state switch |
| |
| ZHAO Jun-ping,ZHANG Lin-wen,LI Jin.Experiment on MOSFET solid state switch[J].High Power Laser and Particle Beams,2004,16(11):1481-1484. |
| |
| Authors: | ZHAO Jun-ping ZHANG Lin-wen LI Jin |
| |
| Institution: | Institute of Fluid Physics, CAEP, P.O. Box 919-106, Mianyang 621900, China |
| |
| Abstract: | The key technologies of building a high repetition rate solid state switch were studied with two power MOSFET components, two MOSFET drivers, and fiber as high voltage isolator and optical data link. These technologies are trigger signal high voltage isolation technology, power MOSFET drive technology, power MOSFET parallel link and series link technology. Outputs of 1kV, 13A, 4MHz repetition rate on single MOSFET switch, 1.6kV, 2MHz repetition rate on two series MOSFET switch,and 130A, and 2MHz repetition rate output on two parallel MOSFET switch have been got. |
| |
| Keywords: | MHz repetition MOSFET Solid state switch |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》下载免费的PDF全文 |
|
