| Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响 |
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| 引用本文： | 袁兆林,祖小涛,薛书文,张晓艳,余华军,向霞,居勇峰.Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响[J].强激光与粒子束,2007,19(11):1918-1922. |
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| 作者姓名： | 袁兆林 祖小涛 薛书文 张晓艳 余华军 向霞 居勇峰 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 物理电子学院, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜，将能量56 keV、剂量1×1017 cm-2的Zn离子注入到薄膜中。离子注入后，薄膜在500~900 ℃的氩气中退火，利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。结果显示：衍射峰在约700 ℃退火后得到恢复；当退火温度小于600 ℃时，吸收边随着退火温度的提高发生蓝移，超过600 ℃时，吸收边随着退火温度的提高发生红移；近带边激子发光和深能级缺陷发光都随退火温度的提高而增强。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 离子注入 退火温度 吸收 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-4322（2007）11-1918-05 |
| 收稿时间： | 2007-04-23 |
| 修稿时间： | 2007-09-29 |
Effects of Zn ion implantation and post-thermal annealing on ZnO thin films |
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| YUAN Zhao-lin,ZU Xiao-tao,XUE Shu-wen,ZHANG Xiao-yan,YU Hua-jun,XIANG Xia,JU Yong-feng.Effects of Zn ion implantation and post-thermal annealing on ZnO thin films[J].High Power Laser and Particle Beams,2007,19(11):1918-1922. |
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| Authors: | YUAN Zhao-lin ZU Xiao-tao XUE Shu-wen ZHANG Xiao-yan YU Hua-jun XIANG Xia JU Yong-feng |
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| Institution: | School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | 作者简介：联系作者:祖小涛,xtzu@uestc.edu.cn. |
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| Keywords: | ZnO thin films Ion implantation Annealing temperature Absorption Photoluminescence |
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