| H2及H+对CxH1-x薄膜表面状态的影响 |
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| 引用本文： | 吴卫东,罗江山,黄勇,张占文,许华,郑永铭,陆晓明,唐永建,赵纯培,陈红.H2及H+对CxH1-x薄膜表面状态的影响[J].强激光与粒子束,2000,12(5):593-596. |
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| 作者姓名： | 吴卫东 罗江山 黄勇 张占文 许华 郑永铭 陆晓明 唐永建 赵纯培 陈红 |
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| 作者单位： | 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900
2. 四川大学分析测试中心,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题(19989501);中国工程物理研究院院基金资助课题;高温高密度等离子体国家重点实验室基金重点项目资助;国家863惯性约束聚变领域资助课题 |
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| 摘 要： | 系统研究了Ｈ２流量和Ｈ＾＋原位处理ＣｘＨ１－ｘ薄膜的时间对ＣｘＨ１－ｘ薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响，表明ＣｘＨ１－ｘ薄膜的长时间Ｈ＾＋原位处理是减小ＣｘＨ１－ｘ薄膜表面悬挂键密度的有效途径。
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| 关 键 词： | 薄膜 ICF靶涂层技术 氢分子 氢离子 |
| 修稿时间： | 2000-04-05 |
The Effect of H2 and H+ on CxH1-x Film Surface State |
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| WUWei-dong,LUOJiang-shan,HUANGYong,ZHANGZhan-wen,XUHua,ZHENGYong-ming,LUXiao-ming,TANGYong-jian,ZHAOChun-pei,CHENHong.The Effect of H2 and H+ on CxH1-x Film Surface State[J].High Power Laser and Particle Beams,2000,12(5):593-596. |
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| Authors: | WUWei-dong LUOJiang-shan HUANGYong ZHANGZhan-wen XUHua ZHENGYong-ming LUXiao-ming TANGYong-jian ZHAOChun-pei CHENHong |
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| Abstract: | |
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