| 1.06μm连续激光辐照TiO_2/SiO_2/K_9薄膜元件温升规律研究 |
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| 引用本文： | 周维军,袁永华,桂元珍,沈志学.1.06μm连续激光辐照TiO_2/SiO_2/K_9薄膜元件温升规律研究[J].强激光与粒子束,2005(9). |
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| 作者姓名： | 周维军 袁永华 桂元珍 沈志学 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 四川绵阳621900
(周维军，袁永华，桂元珍)，中国工程物理研究院流体物理研究所 四川绵阳621900(沈志学) |
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| 基金项目： | 国家863计划项目资助课题 |
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| 摘 要： | 利用1.06μm连续激光在不同强度下辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件,实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2/SiO2/K9元件表面引起的温升随时间的变化,通过数据处理,获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时,给出材料温升随材料发射率的变化关系。并用程序模拟不同激光强度下薄膜温度场的分布,通过实验测量数据校正数值模拟计算结果,给出TiO2/SiO2/K9薄膜元件温度随激光辐照强度和辐照时间的变化规律。并且获得在薄膜厚度方向:薄膜表面温度最高,基底与薄膜接触处温度最低;沿径向:激光辐照中心温度最高,边沿温度最低。
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| 关 键 词： | 连续激光 薄膜元件 温度场 数值模拟 |
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