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磁控管衍射输出结构的π模特性
引用本文:李伟,刘永贵.磁控管衍射输出结构的π模特性[J].强激光与粒子束,2011,23(3).
作者姓名:李伟  刘永贵
作者单位:国防科学技术大学 光电科学与工程学院, 长沙 410073
摘    要: 磁控管结构以及类磁控管结构(无阴极)是具有衍射输出结构的磁控管最基本的组成单元,分析这两种结构的色散关系是研究具有衍射输出结构的磁控管模式转换和传输特性的基础。在基于场匹配法得到类磁控管结构的色散关系的同时,利用数值计算定量分析了6腔和2腔磁控管结构以及类磁控管结构中的π模谐振点随结构参数的变化关系。分析结果表明:对于磁控管结构,当阴阳极间距一定时,π模谐振波数随谐振腔半径的减小而增大;当谐振腔半径一定时,π模谐振波数随阴阳极间距的增大而增大;对于类磁控管结构,π模谐振波数随谐振腔深度的减小或提取腔半径的减小而增大。

关 键 词:具有衍射输出结构的磁控管  类磁控管结构  π模波数
收稿时间:1900-01-01;
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