| 电容式射频微机电系统开关损耗机制（英文） |
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| 引用本文： | 李沐华,赵嘉昊,尤政.电容式射频微机电系统开关损耗机制（英文）[J].强激光与粒子束,2015(2):170-175. |
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| 作者姓名： | 李沐华 赵嘉昊 尤政 |
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| 作者单位： | 清华大学精密仪器系,精密测试技术及仪器国家重点实验室,微纳制造、器件与系统协同创新中心 |
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| 基金项目： | supported by National Natural Science Foundation of China(51205223) |
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| 摘 要： | 插入损耗是射频微机电系统(RF MEMS)开关的关键性能指标之一。电容式RF MEMS开关是一种适合高频应用的开关器件,对其损耗机制进行了研究。电容式RF MEMS开关的射频损耗主要包括四部分:信号线的导体损耗、衬底损耗、辐射损耗以及MEMS桥损耗。对电容式RF MEMS开关建立了损耗模型并进行了数值计算,同时在HFSS有限元软件中进行了电磁仿真,数值计算结果和有限元仿真结果较好的吻合。此外,对影响电容式RF MEMS开关插入损耗的因素进行了分析,结果表明,高阻抗的衬底、200μm左右的导体宽度、较小的导体厚度以及较小的up态电容能够降低开关的插入损耗,提高开关的射频性能。
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| 关 键 词： | 损耗机制 射频微机电系统 电容式开关 共面波导 |
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