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负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响
引用本文:段玲珑,吴卫东,何智兵,许华,唐永建,徐金城.负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响[J].强激光与粒子束,2008,20(3):505-508.
作者姓名:段玲珑  吴卫东  何智兵  许华  唐永建  徐金城
作者单位:1. 兰州大学 物理科学与技术学院 材料物理与化学实验室,兰州 730000;2. 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900; 3. 中国工程物理研究院科技信息中心, 四川 绵阳 621900
摘    要: 采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0~ -40 V之间沉积速率基本不变; -40~ -80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。

关 键 词:Ti薄膜  磁控溅射  负偏压  沉积速率  表面形貌
文章编号:1001-4322(2008)03-0505-04
收稿时间:2007/10/15
修稿时间:2007年10月15

Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering
DUAN Ling-long,WU Wei-dong,HE Zhi-bing,XU Hua,TANG Yong-jian,XU Jin-cheng.Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering[J].High Power Laser and Particle Beams,2008,20(3):505-508.
Authors:DUAN Ling-long  WU Wei-dong  HE Zhi-bing  XU Hua  TANG Yong-jian  XU Jin-cheng
Institution:1. Laboratory of Material Physics and Chemistry, Department of Physics Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China; 2. Research Center of Laser Fusion, CAEP, P.O.Box 919-987, Mianyang 621900, China; 3. Information Center of Science and Technology, CAEP, P. O. Box 919-803, Mianyang 621900, China
Abstract:作者简介:联系作者:吴卫东,中国工程物理研究院激光聚变研究中心;wuweidongding@163.com.
Keywords:Negative bias  Magnetron sputtering  Deposition rate  Surface topography
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