| P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究 |
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| 引用本文： | 牟维兵,徐曦.P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究[J].强激光与粒子束,2005,17(2):309-312. |
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| 作者姓名： | 牟维兵 徐曦 |
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| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621 900 |
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| 基金项目： | 国防科技基础研究基金资助课题 |
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| 摘 要： | 通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究，发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系。产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化，对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变；而界面态对空间电荷有补偿作用，其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系。
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| 关 键 词： | 场效应管 吸收剂量 阈电压 |
| 文章编号： | 1001-4322(2005)02-0309-04 |
| 收稿时间： | 2004/7/15 |
| 修稿时间： | 2004年7月15日 |
Study of power MOSFET under irradiation condition |
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| MU Wei-bing,XU Xi.Study of power MOSFET under irradiation condition[J].High Power Laser and Particle Beams,2005,17(2):309-312. |
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| Authors: | MU Wei-bing XU Xi |
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| Institution: | 1.Institute of Electronic Engineering,CAEP,P.O.Box919-522,Mianyang 621900,China |
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| Abstract: | Power MOSFET IRF540N and IRF9530 were irradiated by X-ray and gamma ray, and the relationship of their threshold voltage and absorbed dose was studied. It is found that the change of threshold voltage value fits in exponential law with absorbed dose,which is caused by the effect of space charge and interface charge.The space charges affect threshold voltage of MOSFET varying linearly with absorbed dose,and the interface charges have a compensational role to space charges,it affects threshold voltage varying linearly with square of absorbed dose. |
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| Keywords: | Power MOSFET Absorbed dose Threshold voltage |
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