| 高功率半导体激光对光学元件损伤特性 |
| |
| 引用本文： | 郭汝海,时魁,王恒坤,王兵.高功率半导体激光对光学元件损伤特性[J].强激光与粒子束,2011,23(5). |
| |
| 作者姓名： | 郭汝海 时魁 王恒坤 王兵 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所， 激光与物质相互作用国家重点实验室， 长春 130033 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目; 吉林省自然科学基金项目(201115123) |
| |
| 摘 要： | 为研究880 nm高功率半导体连续激光器对光学元件的损伤特性，选择了K9玻璃、ZnSe晶体和无氧铜进行镀膜加工，形成高反射率和高透过率的光学元件。通过调节到达光学元件表面的平均功率和改变光斑大小来改变光学元件表面的功率密度，并连续照射30 s，最终通过显微镜来观察元件的激光损伤形貌。研究结果表明：镀高反膜的K9玻璃在功率密度达到600 W/cm2时，膜系表面出现烧熔现象，当达到1 000 W/cm2时出现炸裂现象，而无氧铜基底镀金反射镜在上述功率密度下未发现损伤；而镀增透膜的ZnSe晶体在激光功率密度高达1 000 W/cm2时，通过显微镜观察没有发现明显的损伤，热像仪显示基底温升为5 ℃。
|
| 关 键 词： | 半导体激光器 高功率 激光损伤 功率密度 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
Damage in optical components induced by high power semiconductor laser |
| |
| Guo Ruhai,Shi Kui,Wang Hengkun,Wang Bing.Damage in optical components induced by high power semiconductor laser[J].High Power Laser and Particle Beams,2011,23(5). |
| |
| Authors: | Guo Ruhai Shi Kui Wang Hengkun Wang Bing |
| |
| Institution: | (State Key Laboratory of Laser Interaction with Matter, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China) |
| |
| Abstract: | This paper investigates the damage in optical components induced by an 880 nm high-power semiconductor CW laser.The optical components irradiated are high-reflectivity or anti-reflectivity components based on K9 glass,oxygen free copper and ZnSe crystal.The power density of irradiation on component surface is adjusted by changing laser average power and spot size there,and each component is continuously irradiated for 30 s.The laser-induced damage morphology observed by microscope shows that,for K9 glass co... |
| |
| Keywords: | semiconductor laser high power laser-induced damage power density |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》下载免费的PDF全文 |
