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| Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化 | |
| 引用本文： | 杨福华,谭 劲,周成冈,罗红波.Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化[J].中国物理 B,2008,17(2):1109-1116. |
| 作者姓名： | 杨福华 谭 劲 周成冈 罗红波 |
| 作者单位： | 中国地质大学材料科学与化学工程学院，武汉 430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院，武汉 430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院，武汉 430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院，武汉 430074 |
| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金(批准号：［2005］546)和国家自然科学基金(批准号：40643018)资助的课题. |
| 摘 要： | 采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨，同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex |
| 关 键 词： | Si1-xGex合金， 从头计算法， CiCs缺陷， CiOi缺陷 |
| 收稿时间： | 6/1/2007 12:00:00 AM |
Ab initio studies of CiCs and CiOi defects in Si1-xGex alloys |
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| Yang Fu-Hu,Tan Jin,Zhou Cheng-Gang and Luo Hong-Bo.Ab initio studies of CiCs and CiOi defects in Si1-xGex alloys[J].Chinese Physics B,2008,17(2):1109-1116. | |
| Authors: | Yang Fu-Hu Tan Jin Zhou Cheng-Gang and Luo Hong-Bo |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si1-xGex alloy ab initio method CiCs defect CiOi defect |
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