| 反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究 |
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| 引用本文： | 乔建良,常本康,杜晓晴,牛军,邹继军.反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究[J].中国物理 B,2010,19(4):2855-2859. |
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| 作者姓名： | 乔建良 常本康 杜晓晴 牛军 邹继军 |
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| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004;南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094;重庆大学光电工程学院，重庆 400030;南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004;南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号：60871012，60701013)和河南省教育厅自然科学研究计划(批准号: 2010C510009)资助的课题. |
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| 摘 要： | 针对反射式负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极量子效率的衰减以及不同波段对应量子效率衰减速度的不同，参照国外给出的NEA GaN光电阴极在反射模式下量子效率曲线随时间的衰减变化情况，利用GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型［GaN(Mg):Cs］:O-Cs，结合量子效率衰减过程中表面势垒的变化，研究了反射式NEA GaN光电阴极量子效率的衰减机理. 有效偶极子数量的减小是造成量子效率降低的根本原因，表面I,II势垒形状的变化造成了不同波段对应的量子效率下降速度的不同.
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| 关 键 词： | 负电子亲和势 GaN光电阴极 量子效率 表面势垒 |
Quantum efficiency decay mechanism for reflection-mode negative electron affinity GaN photocathode |
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| Qiao Jian-Liang,Chang Ben-Kang,Du Xiao-Qing,Niu Jun and Zou Ji-Jun.Quantum efficiency decay mechanism for reflection-mode negative electron affinity GaN photocathode[J].Chinese Physics B,2010,19(4):2855-2859. |
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| Authors: | Qiao Jian-Liang Chang Ben-Kang Du Xiao-Qing Niu Jun and Zou Ji-Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | negative elctron affinity GaN photocathode quantum efficiency surface barrier |
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