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Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer
Authors:
Wang Jian-Xia
Wang Lian-Shan
Yang Shao-Yan
Li Hui-Jie
Zhao Gio-Juan
Zhang Heng
Wei Hong-Yuan
Jiao Chun-Mei
Zhu Qin-Sheng
and Wang Zhan-Guo
Institution:
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
Abstract:
V/III ratio, a-plane GaN, InGaN interlayer, metalorganic chemical vapor deposition
Keywords:
V/III ratio
a-plane GaN
InGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
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