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Quasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN template
Authors:
Li Jun-Ze
Tao Yue-Bin
Chen Zhi-Zhong
Jiang Xian-Zhe
Fu Xing-Xing
Jiang Shuang
Jiao Qian-Qian
Yu Tong-Jun
Zhang Guo-Yi
Institution:
State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Macroscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China
Abstract:
Keywords:
homoepitaxy
strain relaxation
metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
hydride vapor-phase epitaxy (HVPE)
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