高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）——添加增塑剂方法的应用

 选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4，8，12，16，24）薄膜，并在0.1～2443 MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（C₄H₆O₃）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响，及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P(EO)₁₆-CuBr₂薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C₄H₆O₃后，当其相对浓度n_PC/n_total=20%时，不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍，而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0.1～100 MPa）至2（350～800 MPa）个数量级，非常有利于在高压环境中应用。