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基于GaSe差频产生8~19μm可调中红外辐射
引用本文:李建松,姚建铨,徐小燕,钟凯,徐德刚,王鹏.基于GaSe差频产生8~19μm可调中红外辐射[J].光子学报,2010,39(8).
作者姓名:李建松  姚建铨  徐小燕  钟凯  徐德刚  王鹏
作者单位:天津大学,精密仪器与光电子工程学院,激光与光电子研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300072
基金项目:国家重点基础研究发展计划 
摘    要:利用Nd:YAG激光器抽运内腔KTP光学参量振荡器,得到了输出为2μm附近的双波长,并在满足Ι类相位匹配条件下,在GaSe中共线差频产生8~19μm连续宽调谐调的中红外辐射.在8.76μm处脉冲最大能量达33.66μJ,峰值功率7.4kW,光子转换效率达4.43%左右.分析了影响能量转化效率的原因,提出了补偿走离的措施.

关 键 词:中红外辐射  差频  相位匹配
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