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| AlGaInAs半导体饱和吸收体调Q特性的理论与实验研究 | |
| 摘 要： | 利用通过金属化学气相沉积法长成的AlGaInAs饱和吸收体,对808nmLD泵浦的Nd∶YVO4键合晶体进行被动调Q,获得了波长为1.06μm的激光脉冲,测量了脉冲能量、脉冲宽度、脉冲重复率随泵浦功率的变化.当泵浦功率为10.57W时,激光平均输出功率为3.45W,斜效率为39%,重复频率达到最大值101kHz.当泵浦功率为8.07W时,脉冲宽度达到最小值1.76ns.利用速率方程对该激光器进行理论分析,计算出输出脉冲能量、峰值功率、脉冲宽度和重复频率的理论值,实验结果和理论结果基本一致. |
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