| 键合Si/Sip-n结电学输运特性及电场增强效应研究 |
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| 引用本文： | 彭强,何盛泉,任良斌,李杏莲,柯少颖.键合Si/Sip-n结电学输运特性及电场增强效应研究[J].光子学报,2020,49(10):79-88. |
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| 作者姓名： | 彭强 何盛泉 任良斌 李杏莲 柯少颖 |
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| 作者单位： | 闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000,闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000,闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000,闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000,闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州 363000 |
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| 基金项目： | 漳州市自然科学基金;国家自然科学基金;闽南师范大学校长基金 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 薄膜 氧化层 Si/Si键合 载流子隧穿 电场 |
Study of Electronic Transport Characteristic and Electric Field Enhancement Effect of Wafer-bonded Si/Si p-n Junction |
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| PENG Qiang,HE Sheng-quan,REN Liang-bin,LI Xing-lian,KE Shao-ying.Study of Electronic Transport Characteristic and Electric Field Enhancement Effect of Wafer-bonded Si/Si p-n Junction[J].Acta Photonica Sinica,2020,49(10):79-88. |
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| Authors: | PENG Qiang HE Sheng-quan REN Liang-bin LI Xing-lian KE Shao-ying |
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