| Sb，In，P掺杂对SnO2薄膜透明导电性能的影响 |
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| 引用本文： | 闫军锋,张志勇,赵武,邓周虎,王雪文.Sb，In，P掺杂对SnO2薄膜透明导电性能的影响[J].光子学报,2007,36(B06):116-119. |
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| 作者姓名： | 闫军锋 张志勇 赵武 邓周虎 王雪文 |
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| 作者单位： | 西北大学信息科学与技术学院,西安710069 |
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| 基金项目： | Supported by Natural Science Foundation of Shaanxi Province（2005F39） |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶（Sol-Gel）技术制备了SnO2：（Sb，In）透明导电薄膜，优化了制备工艺参数，获得了最佳制备条件．研究表明，4％的铟掺杂有效地改善了薄膜的内部结构，使得紫外-可见光的透过率显著增加；7％的锑掺杂释放出了更多的栽流子，使薄膜的方块电阻降低，2％的磷掺杂因准连续杂质能带的形成进一步提高了薄膜的电导率．Sb、In、P的掺入使得SnO2薄膜的紫外-可见光的透过率达83％，方块电阻达38Ω。
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| 关 键 词： | Sol—Gel 掺杂 二氧化锡 透明导电薄膜 |
| 修稿时间： | 2006-03-22 |
Influence of doped Sb,In, P on Transparent and Conducting Characteristics of Thin Film of SnO2 |
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| YAN Jun-feng, ZHANG Zhi-yong, DENG Zhou-hu, ZHAO Wu, WANG Xue-wen.Influence of doped Sb,In, P on Transparent and Conducting Characteristics of Thin Film of SnO2[J].Acta Photonica Sinica,2007,36(B06):116-119. |
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| Authors: | YAN Jun-feng ZHANG Zhi-yong DENG Zhou-hu ZHAO Wu WANG Xue-wen |
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| Keywords: | Sol-gel technique Doping SnO2 Transparent and conducting film |
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