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| 多晶硅太阳电池激光掺杂选择性发射极 | |
| 引用本文： | 王雪,豆维江,秦应雄,巨小宝.多晶硅太阳电池激光掺杂选择性发射极[J].光子学报,2014,43(6):614004. |
| 作者姓名： | 王雪 豆维江 秦应雄 巨小宝 |
| 作者单位： | 王雪:华中科技大学 光学与电子信息学院，武汉 430074 豆维江:西安黄河光伏科技股份有限公司，西安 710043 秦应雄:华中科技大学 光学与电子信息学院，武汉 430074西安黄河光伏科技股份有限公司，西安 710043 巨小宝:西安黄河光伏科技股份有限公司，西安 710043 |
| 基金项目： | 中央高校科研业务(No. HUST2013TS048)和武汉市晨光计划(No. 2013070104010006)资助 |
| 摘 要： | 研究了多晶硅片扩散工艺与激光掺杂工艺的匹配性.采用波长532nm的纳秒脉冲激光器对扩散后未去磷硅玻璃的多晶硅片表面进行激光扫描掺杂,激光扫描掺杂后硅片方块电阻降低为扩散后硅片方阻的50%左右,而且随着激光功率的增加,扩散到硅片表面的磷原子浓度增大,硅片方阻下降更明显.测试了激光掺杂后多晶硅太阳能电池的外量子效率,其外量子效率在340~480nm波段范围与常规多晶硅太阳能电池相比提高18%~5%.研究了激光掺杂后多晶硅电池的光电转换特性,分析了较高激光功率掺杂时多晶硅电池的失效特性,结果表明:优化工艺后多晶硅太阳电池平均光电转换效率达到17.11%,比普通工艺多晶硅太阳电池提高0.34%,最高转换效率达到17.47%.激光掺杂选择性发射极工艺流程简单,电池效率提升明显,易于实现产业化. |
| 关 键 词： | 多晶硅太阳电池 扩散 选择性发射极 激光掺杂 方块电阻 外量子效率 转换效率 失效特性 |
| 收稿时间： | 2013/10/25 |
Laser doped Selective Emitter of Polycrystalline Silicon Solar Cell |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Polycrystalline silicon solar cell Diffusion Selective emitter Laser doping Sheet resistance External quantum efficiency Conversion efficiency Failure characteristics |
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