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| L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究 | |
| 引用本文： | 杨晓东,张景文,王东,毕臻,侯洵.L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究[J].光子学报,2008,37(5):996-1000. |
| 作者姓名： | 杨晓东 张景文 王东 毕臻 侯洵 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710119;西安交通大学,信息光子技术省重点实验室,西安,710049;中国科学院研究生院,北京,100039 2. 西安交通大学,信息光子技术省重点实验室,西安,710049 3. 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710119;西安交通大学,信息光子技术省重点实验室,西安,710049;河南大学,物理与信息光电子学院,河南,开封,475000 |
| 基金项目： | 面向21世纪教育振兴行动计划(985计划) , 教育部211工程学科项目 , 河南省杰出人才项目 |
| 摘 要： | 研究了空气退火对于激光分子束外延(L-MBE)法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析(GIXA)技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面(in-plane)Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后ZnO薄膜的表面方均根粗糙度从退火前的1.13 nm下降为0.37 nm;同时ZnO/Al2O3界面粗糙度从2.10 nm上升为2.59 nm.ZnO室温PL结果显示,退火后薄膜紫外近带边发光强度比退火前增大了40倍,并出现了源于电子－空穴等离子体(EHP)复合的N带受激发射峰,激发阈值约为200 kW/cm2. |
| 关 键 词： | 氧化锌 激光分子束外延 退火 光致发光 在面Φ扫描 小角度X射线分析 |
| 收稿时间： | 2006-03-22 |
| 修稿时间： | 2006-05-14 |
Annealing Effect on ZnO Thin Films Grown by Laser-MBE |
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| YANG Xiao-dong,ZHANG Jing-wen,WANG Dong,BI Zhen,HOU Xun.Annealing Effect on ZnO Thin Films Grown by Laser-MBE[J].Acta Photonica Sinica,2008,37(5):996-1000. | |
| Authors: | YANG Xiao-dong ZHANG Jing-wen WANG Dong BI Zhen HOU Xun |
| Abstract: | 作者简介：张景文,Tel:029-82663122 Email:jwzhang@mail.xjtu.edu.cn |
| Keywords: | ZnO Laser molecular beam epitaxy Annealing process Photoluminescence In-plane Φ scan Glancing incidence x-ray analysis |
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