| 一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关 |
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| 引用本文： | 杨笛,余金中,陈少武.一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关[J].光子学报,2008,37(5):931-934. |
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| 作者姓名： | 杨笛 余金中 陈少武 |
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| 作者单位： | 1. 中央民族大学,理学院,北京,100081
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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Science Foundation of the Central University for Nationalities |
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| 摘 要： | 本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗－4.3 dB,开关时间为6.8 μs.
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| 关 键 词： | 热光开关 多模干涉耦合器 SOI |
| 收稿时间： | 2006-11-20 |
| 修稿时间： | 2007-01-26 |
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