|
|||||
|
|
| 栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响 | |
| 引用本文： | 田进寿,李冀,李岩,牛憨笨.栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响[J].光子学报,2003,32(8):928-932. |
| 作者姓名： | 田进寿 李冀 李岩 牛憨笨 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院西安光学精密机械研究所,陕西,西安,710068;深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,广东,深圳,518060;中国科学院研究生院,北京,100864 2. 深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,广东,深圳,518060 3. 中国科学院西安光学精密机械研究所,陕西,西安,710068;深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,广东,深圳,518060 |
| 摘 要： | 用边界元法(BEM)和Monte Carlo方法,对一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的电子传输比进行了理论分析,通过模拟跟踪发射电子轨迹,证实改变阴极和栅极的相对高度,可以较大幅度地提高电子传输比阳极上电子的分布证实,我们设计的显示器结构能够满足高分辨率、高亮度的显示的要求,而且驱动电压低,工艺简单。 |
| 关 键 词： | 边界元法 Monte Carlo方法 电子传输比 平面型场发射显示器 |
| 收稿时间： | 2002/12/25 |
| 修稿时间： | 2002年12月25 |
The Influence of Relative Height Between Cathode and Gate on Electron Transmission Efficiency |
|
| Tian Jinshou,Li Ji,Li Yan,Niu Hanben.The Influence of Relative Height Between Cathode and Gate on Electron Transmission Efficiency[J].Acta Photonica Sinica,2003,32(8):928-932. | |
| Authors: | Tian Jinshou Li Ji Li Yan Niu Hanben |
| Institution: | 1. Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS, Shaanxi, Xi’an 710068;2. Key Laboratory of Optoelectronic Device and System Institute of Optoelectronics, Shenzhen University, Guangdong Province 518060;3. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100864 |
| Abstract: | The electron trajectory of a large area, full colored field emission display panel was theoretically analyzed with Monte Carlo and Boundary Element Methods. The electron transmission efficiency can be improved by adjusting the vertical distance from cathode to gate. The distribution of the emitted electrons on anode verified that the display structure we designed could meet with the requirement of high resolution, low drive voltage, high brightness and simple manufacture. |
| Keywords: | BEM(Boundary Element Method Monte Carlo method Electron transmission efficiency Planar field emission display |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《光子学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《光子学报》下载免费的PDF全文 | |