RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响 |
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引用本文: | 张源涛,殷宗友,杨树人,马艳,杜国同.RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响[J].光子学报,2002,31(Z2):327-331. |
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作者姓名: | 张源涛 殷宗友 杨树人 马艳 杜国同 |
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摘 要: | 采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽变小。而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小。此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。
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关 键 词: | RF磁控溅射条件 ZnO薄膜 氧化锌薄膜 结构分析 溅射频率 氧气流量 氩气流量 XRD分析 |
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