| 高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响 |
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| 引用本文： | 李波,王贞福,仇伯仓,杨国文,李特,赵宇亮,刘育衔,王刚,白少博.高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响[J].光子学报,2020,49(9):19-26. |
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| 作者姓名： | 李波 王贞福 仇伯仓 杨国文 李特 赵宇亮 刘育衔 王刚 白少博 |
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| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省科技厅人才项目 |
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| 摘 要： | 为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8%,中心波长为959.5nm.通过对应力的理论分析,给出了各个发光点应变的表达式;通过搭建单点测试系统获得阵列中每个发光点的阈值电流、斜率效率、光谱和功率等光电特性;结合应变理论分析可知,器件中发光点的性能与应变大小和类型密切相关,压应变会导致器件波长蓝移、阈值电流降低、功率和斜率效率升高,张应变会导致波长红移、阈值电流升高、功率和斜率效率降低.研究表明,影响器件内部发光点的性能不仅与热效应有关,而且与封装后残余的应变密切相关,通过应力的分布可以预测阵列性能的变化规律,可为高峰值功率、高可靠性的半导体激光阵列的研制提供参考.
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| 关 键 词： | 高功率半导体激光阵列 独立发光点 应变 微通道 光电特性 |
Influence of Strain on Performance of Independent Emitters in High Power Quasi-continuous Semiconductor Laser Array |
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| LI Bo,WANG Zhen-fu,QIU Bo-cang,YANG Guo-wen,LI Te,ZHAO Yu-liang,LIU Yu-xian,WANG Gang,BAI Shao-bo.Influence of Strain on Performance of Independent Emitters in High Power Quasi-continuous Semiconductor Laser Array[J].Acta Photonica Sinica,2020,49(9):19-26. |
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| Authors: | LI Bo WANG Zhen-fu QIU Bo-cang YANG Guo-wen LI Te ZHAO Yu-liang LIU Yu-xian WANG Gang BAI Shao-bo |
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