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| 一维掺杂光子晶体嵌入负介电常数材料和负磁导率材料的性质(英文) | |
| 引用本文： | 董丽娟,江海涛,李云辉,杜桂强,石云龙,杨成全.一维掺杂光子晶体嵌入负介电常数材料和负磁导率材料的性质(英文)[J].光子学报,2010,39(5). |
| 作者姓名： | 董丽娟 江海涛 李云辉 杜桂强 石云龙 杨成全 |
| 作者单位： | 1. 山西大同大学,固体物理研究所,山西,大同,037009;同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092 2. 同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092 3. 同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;山东大学,威海分校,空间科学与物理学院,山东,威海,264209 4. 山西大同大学,固体物理研究所,山西,大同,037009 |
| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China and the Natural Science Foundation of Shanxi Province，the Scientific Research Foundation for the Retuned Overseas Chinese Scholars of Shanxi Province，the Program for Young Excessent Teacher at Tongji University |
| 摘 要： | 对一维掺杂光子晶体嵌入负介电常数材料和负磁导率材料中缺陷模的透射性质进行了研究.利用转移矩阵方法,分别计算了负介电常数材料和负磁导率材料的反射相位谱和一维掺杂光子晶体的透射相位谱.研究发现,在特定条件下,负介电常数材料和负磁导率材料的反射相位以及一维掺杂光子晶体的往返透射相位之和是0或者2π的整数倍.这样的研究结果表明,在满足一定的条件下,一维掺杂的光子晶体嵌入负介电常数材料和负磁导率材料中后,无论杂质的厚度多大,在光子带隙中仅出现一个缺陷模.而且,由于负介电常数材料和负磁导率材料性质的限制,单个缺陷模的品质因子会大大提高. |
| 关 键 词： | 光子晶体 缺陷模 负介电常数材料 负磁导率材料 |
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