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掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响
引用本文:陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响[J].光子学报,2004,33(3):310-313.
作者姓名:陈贵楚  范广涵  陈练辉  刘鲁
作者单位:华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
基金项目:国家科技攻关计划(编号00068)基金项目
摘    要:通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况,得到了在不同的P型掺杂程度下,限制层Al组分与LED发光效率的关系,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律,得到的结论对于LED的器件结构设计以及MOCVD材料生长有一定的指导意义.

关 键 词:AlGaInP  Al组分  掺杂  发光效率
收稿时间:2003-04-08
修稿时间:2003年4月8日

The Effect of P-doping Density and Al Composition Upon Luminescent Efficiency
Institution:(Institute of Photoelectronic Material and Technology,South China Normal University, Guangzhou 510631)
Abstract:The relation of Al composition and luminence effici ency is gotten under various P-doping density by analyzing carrier transportion in double heterojunction of LED,and the law of doping density and Al composition vs luminence efficiency can be derived.So this conclusion would have a guide to device design and MOCVD epitaxy.
Keywords:AlGaInP  Al composition  P-doping  Luminence efficien cy
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