掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响 |
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引用本文: | 陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响[J].光子学报,2004,33(3):310-313. |
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作者姓名: | 陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 |
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作者单位: | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631 |
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基金项目: | 国家科技攻关计划(编号00068)基金项目 |
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摘 要: | 通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况,得到了在不同的P型掺杂程度下,限制层Al组分与LED发光效率的关系,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律,得到的结论对于LED的器件结构设计以及MOCVD材料生长有一定的指导意义.
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关 键 词: | AlGaInP Al组分 掺杂 发光效率 |
收稿时间: | 2003-04-08 |
修稿时间: | 2003年4月8日 |
The Effect of P-doping Density and Al Composition Upon Luminescent Efficiency |
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Institution: | (Institute of Photoelectronic Material and Technology,South China Normal University, Guangzhou 510631) |
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Abstract: | The relation of Al composition and luminence effici ency is gotten under various P-doping density by analyzing carrier transportion in double heterojunction of LED,and the law of doping density and Al composition vs luminence efficiency can be derived.So this conclusion would have a guide to device design and MOCVD epitaxy. |
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Keywords: | AlGaInP Al composition P-doping Luminence efficien cy |
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