| 双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性 |
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| 引用本文： | 陈献文,吴乾,李述体,郑树文,何苗,范广涵,章勇.双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性[J].光子学报,2011,40(2):190-193. |
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| 作者姓名： | 陈献文 吴乾 李述体 郑树文 何苗 范广涵 章勇 |
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| 作者单位： | 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
2. 广州鸿利光电股份有限公司,广州,510800 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金，广东省教育部产学研结合项目，广东省自然科学基金，华南师范大学学生课外科研重点课题项目 |
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| 摘 要： | 为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重...
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| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱 双波长 发光二极管 金属有机化学气相沉权 |
Optoelectronic Properties of Dual-wavelength InGaN/GaN Multi-quantum Well Light-emitting Diodes |
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| CHEN Xian-wen,WU Qian,LI Shu-ti,ZHENG Shu-wen,HE Miao,FAN Guang-han,ZHANG Yong.Optoelectronic Properties of Dual-wavelength InGaN/GaN Multi-quantum Well Light-emitting Diodes[J].Acta Photonica Sinica,2011,40(2):190-193. |
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| Authors: | CHEN Xian-wen WU Qian LI Shu-ti ZHENG Shu-wen HE Miao FAN Guang-han ZHANG Yong |
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