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| 氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战(特邀) | |
| 引用本文： | 王玉坤,郑重明,龙浩,梅洋,张保平.氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战(特邀)[J].光子学报,2022(2):31-54. |
| 作者姓名： | 王玉坤 郑重明 龙浩 梅洋 张保平 |
| 摘 要： | 垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点.氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示等领域得到广泛应用.技术含量更高的激光器件也已进入了应用的快车道,即将覆盖照明、通信、投影显示... |
| 关 键 词： | 半导体器件与技术 垂直腔面发射激光器 氮化物 紫外 光电子器件 激光器 AlGaN |