| SPPs光刻曝光显影模拟研究 |
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| 引用本文： | 郑宇,王景全,李敏,牛晓云,杜惊雷.SPPs光刻曝光显影模拟研究[J].光子学报,2010,39(5). |
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| 作者姓名： | 郑宇 王景全 李敏 牛晓云 杜惊雷 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610064;武警成都指挥学院,教研部,成都,610213
2. 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 基于薄层抗蚀剂的曝光模型,建立了普遍适应于表面等离子体激元光刻的抗蚀剂曝光模型.选用AZ1500和AR3170两种抗蚀剂对表面等离子体激元干涉光刻曝光显影过程进行计算对比,获得表面等离子体激元光刻显影的最终轮廓.由此得出工艺优化的条件,对表面等离子体激元光刻的进一步工作和实验开展有着重要的意义.
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| 关 键 词： | SPPs光刻 干涉光刻 曝光潜像 显影轮廓 |
Resist Exposure Developing Simulation Study of SPPs Lithography |
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| ZHENG Yu,WANG Jing-quan,LI Ming,NIU Xiao-yun,DU Jing-lei.Resist Exposure Developing Simulation Study of SPPs Lithography[J].Acta Photonica Sinica,2010,39(5). |
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| Authors: | ZHENG Yu WANG Jing-quan LI Ming NIU Xiao-yun DU Jing-lei |
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