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用表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb∶YAG激光器被动调Q锁模
引用本文:王勇刚,马骁宇,居桂方,张志刚.用表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb∶YAG激光器被动调Q锁模[J].光子学报,2005,34(1):11-13.
作者姓名:王勇刚  马骁宇  居桂方  张志刚
作者单位:[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津300072
摘    要:制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜——表面态型半导体可饱和吸收镜. 用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体实现了半导体端面泵浦Yb∶YAG激光器被动调Q锁模. 在泵浦功率仅有1.4 W的情况下,获得了调Q锁模脉冲序列,锁模平均输出功率1 mW,锁模脉冲重复频率200 MHz

关 键 词:半导体可饱和吸收镜  表面态  调Q锁模  Yb∶YAG激光器
收稿时间:2003-11-04
修稿时间:2003年11月4日

Passive Q-switched Modelocking Diode-end-pumped Yb∶YAG with Surface-state Type of Semiconductor Saturable Absorption Mirror

.Passive Q-switched Modelocking Diode-end-pumped Yb∶YAG with Surface-state Type of Semiconductor Saturable Absorption Mirror[J].Acta Photonica Sinica,2005,34(1):11-13.
Authors:
Institution:(1 Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083)
(2 Ultrafast Laser Laboratory, School of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering, University of TianJin, TianJin 300072)
Abstract:A new type of surface-state semiconductor saturable absorption mirror was introduced, with which passive Q-switched modelocking of diode-end-pumped Yb∶ YAG laser was realized. At the 1.4 W of pumping power, Q-switched modelocking seires was obtained, which has 1 mW average output and 200 MHz frequency.
Keywords:Semiconductor saturable absorption mirror  Surface state  Q-switched modelocking  Yb∶ YAG laser
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